RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link