RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
41
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link