RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3787
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link