RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link