RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link