RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2916
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link