RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
62
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link