RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3305
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link