RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
41
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link