Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 56

Por volta de 57% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3% maior largura de banda

Razões a considerar
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

6 16

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

3,050.6 12.5

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 1144

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns