Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 59

Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.5 9.7

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.2 16

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 19200

Por volta de 1.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 2181

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns