RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,604.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3% maior largura de banda
Razões a considerar
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR2
Latência em PassMark, ns
24
65
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
3,082.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
1,604.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB Comparações de RAM
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link