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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,604.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3% maior largura de banda
Razões a considerar
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR2
Latência em PassMark, ns
24
65
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
3,082.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
1,604.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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