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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
2179
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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