RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
57
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
36
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2720
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link