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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
57
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
33
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2910
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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