RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2808
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link