RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
44
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1572
1949
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link