RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
76
Por volta de 45% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
76
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
1809
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link