RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2852
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link