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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
69
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
52
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
2472
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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