RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Comparar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2095
2907
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link