RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
52
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2095
2306
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link