RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2233
2925
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link