RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Comparar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
3192
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link