RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
3495
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link