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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1949
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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