RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
11.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1998
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link