RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2519
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link