RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
75
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
75
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
1735
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link