RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
71
Por volta de 63% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
71
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.4
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2003
1902
Kingston HP698651-154-MCN 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link