RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2007
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link