RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparar
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
14.9
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3501
3244
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link