RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Comparar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Pontuação geral
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,410.6
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
61
Por volta de -165% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,230.0
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,410.6
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
754
4015
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link