RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Pontuação geral
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,410.6
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
61
Por volta de -154% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,230.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,410.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
754
2761
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link