RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
75
122
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.4
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
122
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
5.8
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
1411
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link