Comparação RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Pontuação geral

Kingston KVR533D2N4 512MB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB

Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

71 75

Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.4 1,672.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 4200

Por volta de 5.07 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

301 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns