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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
58
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3601
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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