RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
58
Por volta de -132% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2620
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link