RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
51
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
17
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
17.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link