RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
51
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
41
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2870
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link