RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2973
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link