RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
51
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link