RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3859
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link