RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
51
Por volta de -34% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2404
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link