RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
51
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
18
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3597
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link