RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2486
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link