RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparar
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2388
3187
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparações de RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link