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Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1676
3085
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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