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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
23.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
18.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2301
4124
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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