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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
50
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
50
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2301
2393
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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